[发明专利]在形成半导体构造期间利用微波辐射的方法有效
| 申请号： | 200980135344.0 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102150238A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 约翰·斯迈思;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;张明 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些实施例包含其中在形成半导体构造期间使用微波辐射来激活掺杂剂及/或增加半导体材料的结晶度的方法。在一些实施例中，所述微波辐射具有约5.8吉赫的频率，且在暴露于所述微波辐射期间所述半导体构造的温度不超过约500℃。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 构造 期间 利用 微波 辐射 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体构造的方法，其包括：在半导体材料内提供掺杂剂；及用具有约5.8吉赫的频率的微波辐射激活所述掺杂剂，在所述掺杂剂的所述激活期间所述半导体材料的温度不超过约500℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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