[发明专利]腔室等离子清洁制程方法无效
| 申请号： | 200980130232.6 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102113097A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 昌林·斯;程志康;英博小尻;乔舒亚·崔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了一种用于对制程工具中的腔室进行等离子体清洁的方法。衬底被放置在其中具有污染物组的制程腔室中的卡盘上。在该制程腔室中进行等离子体制程，以将该污染物组转移到该衬底的上表面上。其上具有该污染物组的衬底被从该制程腔室移除。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种用于对制程工具中的腔室进行等离子体清洁的方法，包括：将衬底放置在制程腔室中的卡盘上，所述制程腔室中具有污染物组；在所述制程腔室中执行等离子体制程，以将所述污染物组转移到所述衬底的上表面上；以及从所述制程腔室移除所述衬底，所述衬底上具有所述污染物组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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