[发明专利]插入硅和/或锡的多孔碳基底有效
申请号: | 200980127184.5 | 申请日: | 2009-07-14 |
公开(公告)号: | CN102089240A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·舒尔茨;哈特穆特·威格斯 | 申请(专利权)人: | 杜伊斯堡-艾森大学 |
主分类号: | C01B31/00 | 分类号: | C01B31/00;H01M4/38;H01M4/04;H01M4/08;H01M4/58 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于生产导电性、多孔的、包含硅和/或锡的碳材料的方法,其尤其适合用于生产优选用于锂离子电池的电极材料;在第一工序中,优选将晶体硅纳米粒子和/或锡纳米粒子和/或硅/锡纳米粒子引入基于至少一种有机聚合物的基质,更优选分散在其中,随后在第二工序中,将包含硅、锡和/或硅/锡纳米粒子的所形成的聚合物基质碳化形成碳。 | ||
搜索关键词: | 插入 多孔 基底 | ||
【主权项】:
一种用于生产导电性、多孔的、包含硅和/或锡的材料的方法,其特别用于生产优选用于锂离子电池的阳极材料,其特征在于在第一工序中,将硅纳米粒子和/或锡纳米粒子和/或硅/锡纳米粒子引入基于至少一种有机聚合物的基质,特别是分散在其中,和然后在第二工序中,将包含硅和/或锡和/或硅/锡纳米粒子的聚合物基质碳化成碳。
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