[发明专利]红外线发光元件有效
| 申请号： | 200980108660.9 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101971367A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 上之康一郎;久世直洋 | 申请（专利权）人： | 旭化成微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种抑制由热激发的空穴(孔)引起的暗电流和扩散电流的红外线发光元件。在第一n型化合物半导体层(102)中产生的热激发载流子(空穴)要向π层(105)方向扩散，但是通过将带隙大于第一n型化合物半导体层(102)和π层(105)的带隙而抑制该扩散的n型宽带隙层(103)设置于第一n型化合物半导体层(102)与π层(105)之间，来减少由空穴引起的暗电流。关于n型宽带隙层(103)，由于n型掺杂而其带隙相对地向价带方向位移，作为被热激发的空穴的扩散势垒而更有效地发挥功能。也就是说，调整n型宽带隙层(103)的带隙和n型掺杂以抑制热激发载流子的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种红外线发光元件，其特征在于，具备：半导体衬底；上述半导体衬底上的第一n型化合物半导体层；上述第一n型化合物半导体层上的n型宽带隙层；以及上述n型宽带隙层上的p型掺杂的π层，其中，上述n型宽带隙层以外的层的带隙为0.41eV以下，上述n型宽带隙层的带隙大于上述第一n型化合物半导体层的带隙和上述π层的带隙。
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