[实用新型]推挽输出级驱动电路无效
| 申请号： | 200920178903.3 | 申请日： | 2009-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN201509190U | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 周庆生;林满院 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 518057 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种推挽输出级驱动电路，用于驱动第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管交替打开，该电路包括：第一组正反馈电路，用于使第一PMOS晶体管的栅极电压随着第一NMOS晶体管的栅极电压的变化进行同向变化，其中，第一组正反馈电路包括一条或多条正反馈电路，每一条正反馈电路包括一个或多个NMOS晶体管；第二组正反馈电路，用于使第一NMOS晶体管的栅极电压随着第一PMOS晶体管的栅极电压的变化进行同向变化，其中，第一组正反馈电路包括一条或多条正反馈电路，每一条正反馈电路包括一个或多个PMOS晶体管。根据本实用新型提供的技术方案，可以有效减小死区时间以避免信号失真。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种推挽输出级驱动电路，用于驱动第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管交替打开，其特征在于，所述电路包括：第一组正反馈电路，连接于所述第一PMOS晶体管的栅极与所述第一NMOS晶体管的栅极之间，用于使所述第一PMOS晶体管的栅极电压随着第一NMOS晶体管的栅极电压的变化进行同向变化，其中，所述第一组正反馈电路包括一条或多条正反馈电路，每一条正反馈电路包括一个或多个NMOS晶体管；第二组正反馈电路，连接于所述第一PMOS晶体管的栅极与所述第一NMOS晶体管的栅极之间，用于使所述第一NMOS晶体管的栅极电压随着第一PMOS晶体管的栅极电压的变化进行同向变化，其中，所述第一组正反馈电路包括一条或多条正反馈电路，每一条正反馈电路包括一个或多个PMOS晶体管。
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