[实用新型]晶体生长炉无效
| 申请号： | 200920076795.9 | 申请日： | 2009-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN201433250Y | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶体生长炉，属于晶体生长装置领域。本实用新型采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室连接真空系统和进气系统。本实用新型的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保温材料和生长室对氮及污染物的吸附。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 | ||
【主权项】：
1、晶体生长炉，包括晶体生长室(1)、送样室(2)、真空插板阀(3)、生长坩埚(4)、真空系统(5)、进气系统(6)、传递装置(7)，其特征在于：晶体生长室(1)和送样室(2)之间相互为上下排列方式或左右排列方式排列；真空插板阀(3)位于晶体生长室(1)与送样室(2)之间并连接晶体生长室(1)与送样室(2)，真空插板阀(3)可开启或关闭；传递装置(7)连接于送样室上；生长坩埚(4)通过传递装置(7)由送样室(2)经真空插板阀(3)送入晶体生长室(1)；所述晶体生长室(1)和送样室(2)分别连接有真空系统(5)和进气系统(6)。
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