[实用新型]SIP基板的封装结构无效
| 申请号： | 200920074724.5 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN201549489U | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李强;曾志敏;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种SIP基板的封装结构，包括SIP基板、目标芯片；所述目标芯片与SIP基板之间设置一层或多层假硅片。所述假硅片与目标芯片之间，以及假硅片与SIP基板之间，或者假硅片与假硅片之间分别通过芯片粘接胶粘接为一体。本实用新型通过在待安装的目标芯片与SIP基板之间设置一层或多层假硅片，由假硅片来承担封装过程中由于SIP基板与目标芯片之间热膨胀系数不匹配而产生的应力，从而起到保护待安装的目标芯片，增强目标芯片抗外部应力的作用。 | ||
| 搜索关键词： | sip 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种SIP基板的封装结构，包括SIP基板、目标芯片；其特征在于：所述目标芯片与SIP基板之间设置一层或多层假硅片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200920074724.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：边置式电极的LED芯片器件
- 下一篇：薄膜沉积装置
