[发明专利]DDR型沸石膜结构体的制造方法无效
| 申请号： | 200910253517.0 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101745319A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 内川哲哉;谷岛健二;野中久义;富田俊弘 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种DDR型沸石膜结构体的制造方法，可减少DDR型沸石膜开裂的产生、减少DDR型沸石膜内1-金刚烷胺残存。该DDR型沸石膜结构体的制造方法，包括：在含有1-金刚烷胺、二氧化硅(SiO2)和水的原料溶液中，使在表面附着有DDR型沸石膜种晶的多孔质基体浸渍来进行DDR型沸石的水热合成，由该水热合成在多孔质基体表面形成含有1-金刚烷胺的DDR型沸石膜，来制作DDR型沸石膜结构体的母体的膜形成工序，和通过在400℃以上550℃以下加热母体，燃烧除去含在DDR型沸石膜内的1-金刚烷胺的燃烧工序。 | ||
| 搜索关键词： | ddr 型沸石 膜结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种DDR型沸石膜结构体的制造方法，其包括膜形成工序和燃烧工序，得到具有相对于二氧化碳(CO2)和甲烷(CH4)的混合气体的分离系数为10以上的分离性能的DDR型沸石膜结构体；在所述膜形成工序中，在含有1-金刚烷胺、二氧化硅(SiO2)和水的原料溶液中，浸渍在表面附着有DDR型沸石膜种晶的多孔质基体来进行DDR型沸石的水热合成，由该水热合成在多孔质基体表面形成含有1-金刚烷胺的DDR型沸石膜，来制作DDR型沸石膜结构体的母体；在所述燃烧工序中，通过在400℃以上550℃以下加热所述母体，燃烧除去含在所述DDR型沸石膜内的1-金刚烷胺。
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