[发明专利]集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 200910246511.0 | 申请日： | 2009-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101908499A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡方文;叶明熙;王明俊;林舜武;陈启群;魏正泉;陈其贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一种制造具有改善的性能的集成电路的方法。此方法包含：提供一基材；形成一硬掩膜层于此基材上；形成此硬掩膜层的多个被保护的部分和多个未被保护的部分；进行一第一蚀刻制程、一第二蚀刻制程和一第三蚀刻制程于硬掩膜层的未被保护的部分上，其中第一蚀刻制程部分地去除硬掩膜层的未被保护的部分，第二蚀刻制程处理硬掩膜层的未被保护的部分，第三蚀刻制程去除硬掩膜层的其余的未被保护的部分；以及进行一第四蚀刻制程，以去除硬掩膜层的被保护的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路的制造方法，其特征在于，该集成电路包含一基材，该集成电路的制造方法包含：形成一硬掩膜层于该基材上；形成该硬掩膜层的多个被保护的部分和多个未被保护的部分；进行一第一蚀刻制程、一第二蚀刻制程和一第三蚀刻制程于该硬掩膜层的该些未被保护的部分上，其中该第一蚀刻制程部分地去除该硬掩膜层的该些未被保护的部分，该第二蚀刻制程处理该硬掩膜层的该些未被保护的部分，该第三蚀刻制程去除该硬掩膜层的其余该些未被保护的部分；以及进行一第四蚀刻制程，以去除该硬掩膜层的该些被保护的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
