[发明专利]一种监控台阶仪测量芯片沟槽深度准确度的方法有效
申请号: | 200910242488.8 | 申请日: | 2009-12-15 |
公开(公告)号: | CN102097286A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 陈勇;方绍明;张立荣;王新强;曾永祥 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66;G01B11/22 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种监控台阶仪测量芯片沟槽深度准确度的方法,以降低对芯片沟槽深度进行监控的时延、提高沟槽深度监控的准确性以及达到对台阶仪测量芯片沟槽深度的准确度进行监控的目的。该方法包括:选取多片晶圆,针对每一片晶圆,通过台阶仪测量得到晶圆划片道区的沟槽深度与硬掩模层的厚度确定出晶圆芯片区中的沟槽的深度;并通过分析该多片晶圆的芯片区的沟槽的深度值,确定台阶仪对沟槽深度进行测量的准确度是否达到准确度要求。采用本发明技术方案可缩短对沟槽深度进行控制的时延、提高了对芯片沟槽深度进行控制的精确度,并且实现了对台阶仪测量沟槽深度的准确度进行监控的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 监控 台阶 测量 芯片 沟槽 深度 准确度 方法 | ||
【主权项】:
一种监控台阶仪测量芯片沟槽深度的准确度的方法,其特征在于,包括:针对划片道区的十字交错区填充极性与芯片区的沟槽光刻层的极性相同沟槽深度测试模块的多片晶圆中的每一片晶圆,为所述晶圆设置对应的刻蚀时长,执行下述步骤得到所述多片晶圆的芯片区的沟槽深度d:在所述晶圆表面生成一层保护膜;对所述晶圆的芯片区与划片道区进行沟槽光刻与沟槽刻蚀处理,沟槽刻蚀时长为所述晶圆对应的设定的刻蚀时长,在所述芯片区形成至少一个第一沟槽,在所述划片道区的沟槽深度测试模块中形成用于对所述第一沟槽的深度进行检测的第二沟槽;采用台阶仪测量所述第二沟槽的深度为d1;根据所述d1与所述保护膜的厚度d2得到所述第一沟槽的深度d;采用扫描电子显微镜测量所述多片晶圆的划片道区的第二沟槽的深度为d’;根据通过所述台阶仪得到的多片晶圆的第二沟槽的深度d2、第一沟槽深度d以及通过扫描电子显微镜得到的所述多片晶圆的第二沟槽的深度d,确定出所述台阶仪测量芯片区的沟槽深度的准确度是否达到准确度要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造