[发明专利]一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910201878.0 申请日: 2009-11-30
公开(公告)号: CN102082113A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 王雷 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L21/764 分类号: H01L21/764
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 王函
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法,利用可显影BARC材料具有可溶解于显影液的特性,利用该种材料作为赝层,通过在深隔离槽中填充赝层形成空气间隙占位,接着利用某些材料可以在曝光后激活产生SiO2的性质,用该种材料封口(作为覆盖介质层),然后通过光刻形成小孔,同时在显影中将赝层材料可显影的BARC去除形成空气间隙,然后紫外光照射激活使之生成SiO2,最后填充介质层再回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层,形成具有空气间隙的深隔离槽。该方法可以进一步减小寄生电容以提高深隔离槽的隔离表现,同时工艺控制能力更强,良品率更高。
搜索关键词: 一种 空气 间隙 隔离 制造 方法
【主权项】:
一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)光刻刻蚀硅基板形成深隔离槽;(2)在深隔离槽的侧壁成长侧壁保护层;(3)可显影BARC材料作为赝层填充部分深隔离槽;(4)覆盖介质层填充深隔离槽;(5)光刻在深隔离槽中心产生小孔;(6)显影去除被曝光的覆盖介质层材料,同时去除赝层材料;(7)紫外光照射激活覆盖介质层材料形成氧化物;(8)介质层填充覆盖介质层的小孔,在深隔离槽内形成空气间隙;(9)回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层。
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