[发明专利]一种Si/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910199255.4 | 申请日： | 2009-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101714610A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;汪昌州 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Si/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜及其制备方法，该相变薄膜为Si薄膜和Sb80Te20薄膜在纳米量级交替排列复合而成，Si薄膜将各层Sb80Te20薄膜分隔，形成多层薄膜结构。本发明的相变薄膜具有如下优点：(1)相变薄膜的结晶温度随着Si薄膜厚度的增加而升高，当Si薄膜大于5nm时，相变薄膜的结晶温度基本保持不变；(2)Si薄膜对Sb80Te20薄膜的隔离作用提升了相变薄膜的热稳定性，相变薄膜结晶发生的温度区域很窄，表明其相变速度很快；(3)相变薄膜的晶态电阻随着Si薄膜厚度的增加而增大，有助于降低PCRAM器件编程过程中的操作功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si sb sub 80 te 20 纳米 复合 多层 相变 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Si/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜，其特征在于，所述Si/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜中Si薄膜和Sb80Te20薄膜交替排列，Si薄膜将各层Sb80Te20薄膜均匀分隔，形成多层薄膜结构。
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