[发明专利]高比表面基底负载Bi2WO6光催化膜、方法及应用有效

专利信息
申请号: 200910197580.7 申请日: 2009-10-22
公开(公告)号: CN101745402A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 王文中;徐婕慧 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: B01J23/888 分类号: B01J23/888;B01J23/31;B01J27/24;B01J35/02;B01J37/00;A62D3/17;B01D53/86;B01D53/72;A01N59/16;A01N59/20;A01P1/00;C02F1/30;C02F101/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种高比表面基底负载的Bi2WO6光催化膜、方法及应用。首先,在60~300℃下制备Bi2WO6纳米粉体,再将洁净的高比表面基底浸入Bi2WO6悬浮液中制得Bi2WO6膜,最后经100~950℃热处理,制得高比表面基底负载的Bi2WO6光催化膜。所述的高比表面基底为金属网、泡沫金属或多孔陶瓷。所制备的Bi2WO6膜具有Bi2WO6颗粒尺寸小、光催化活性高、循环性能好、制备工艺简单及生产成本低等特点。同时,此光催化膜可以方便地回收和再利用,解决了纳米光催化剂实际应用中回收困难的难题。用于可见光下降解RhB、空气净化以及光催化抗菌活性方面。
搜索关键词: 比表面 基底 负载 bi sub wo 光催化 方法 应用
【主权项】:
高比表面基底负载Bi2WO6光催化膜,其特征在于Bi2WO6纳米粉体沉积在高比表面基底上,生成Bi2WO6光催化膜,所述的高比表面基底为金属网、泡沫金属或多孔陶瓷。
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