[发明专利]刻蚀方法和刻蚀系统无效
| 申请号： | 200910197444.8 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102044431A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李建凤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种刻蚀方法，包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀层，所述待刻蚀层上形成有掩膜层，所述掩膜层已经被图形化，所述待刻蚀层为透光材料；提供所述待刻蚀层的厚度阈值；设定初始刻蚀参数；采用所述初始刻蚀参数对所述待刻蚀层进行刻蚀，同时采用光干涉法检测待刻蚀层的剩余厚度；判断所述待刻蚀层的剩余厚度是否落入所述厚度阈值范围，若否，则继续采用所述初始刻蚀参数的刻蚀，若是，停止采用所述初始刻蚀参数进行刻蚀。本发明还提供一种刻蚀系统。本发明可以实时检测刻蚀过程，反映真实的刻蚀程度，调整刻蚀参数进而达到理想的刻蚀效果。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种刻蚀方法，包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀层，所述待刻蚀层上形成有掩膜层，所述掩膜层已经被图形化，所述待刻蚀层为透光材料；提供所述待刻蚀层的厚度阈值；设定初始刻蚀参数；采用所述初始刻蚀参数对所述待刻蚀层进行刻蚀，同时采用光干涉法检测待刻蚀层的剩余厚度；判断所述待刻蚀层的剩余厚度是否落入所述厚度阈值范围，若否，则继续采用所述初始刻蚀参数进行刻蚀，若是，停止采用所述初始刻蚀参数进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
