[发明专利]非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法有效

专利信息
申请号: 200910196795.7 申请日: 2009-09-29
公开(公告)号: CN101691200A 公开(公告)日: 2010-04-07
发明(设计)人: 熊斌;徐德辉;王跃林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00;B81C3/00;B81C5/00;G01J5/02
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 潘振甦
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法,其特征在于所述低温真空封装的结构包括1)一包含悬浮红外敏感元件的硅基底传感器芯片;2)一包含凹腔结构硅基底红外滤光片盖板;3)包含凹腔结构红外滤光片盖板通过真空圆片对准键合固定在硅基底传感器芯片上,两者组成一个完整的非致冷红外探测器。本发明的制作是利用圆片级低温对准键合技术将包含红外敏感元件的硅衬底圆片与包含红外滤光薄膜的硅衬底圆片进行低温真空键合,实现了探测器红外滤光片与探测器的红外敏感元件制作工艺的集成。不仅可以保护红外敏感元件免受外界的污染和破坏,还通过圆片对准键合对红外探测器的红外敏感元件进行真空封装,提高了红外探测器的性能。
搜索关键词: 致冷 红外探测器 低温 真空 封装 结构 制作方法
【主权项】:
一种非致冷红外探测器的低温真空封装结构,其特征在于其结构包括:1)一包含悬浮红外敏感元件的硅基底传感器芯片;2)一包含凹腔结构硅基底红外滤光片盖板;3)包含凹腔结构红外滤光片盖板通过真空圆片对准键合固定在硅基底传感器芯片上,两者组成一个完整的非致冷红外探测器。
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