[发明专利]MIM电容建模方法及电容值获取方法有效
| 申请号： | 200910195613.4 | 申请日： | 2009-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102012950A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 路向党 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MIM电容建模及电容值获取方法。所述MIM电容建模方法包括：在同一测试环境下，测量多个具有相同有效电容面积的MIM电容值，所述多个MIM电容所在器件的金属互连层个数不同；获得MIM电容值与金属互连层个数变化的函数关系；将所获得的MIM电容值与金属互连层个数变化的函数关系作为电容模型文件中描述MIM电容的其中一个参数。以所述建模方法获得的电容模型，其仿真精度相对现有技术更高。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 建模 方法 获取 | ||
【主权项】：
一种MIM电容建模方法，其特征在于，包括：在同一测试环境下，测量多个具有相同有效电容面积的MIM电容值，所述多个MIM电容所在器件的金属互连层个数不同；获得MIM电容值与金属互连层个数变化的函数关系；将所获得的MIM电容值与金属互连层个数变化的函数关系作为电容模型文件中描述MIM电容的其中一个参数。
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