[发明专利]雪崩击穿二极管结构及制造方法

摘要

一种雪崩击穿二极管结构及制造方法。所述雪崩击穿二极管结构的制造方法包括：在衬底中形成深阱；在所述深阱中形成隔离层以定义有源区；在所述有源区中形成轻掺杂区，所述轻掺杂区的掺杂离子浓度大于深阱；对所述轻掺杂区进行离子注入，所述离子注入的深度大于所述轻掺杂区；在其中一个有源区中的部分区域形成重掺杂区，所述重掺杂区的深度大于上一步骤中离子注入的深度；在所述其中一个有源区表面形成隔离层，所述隔离层覆盖所述轻掺杂区，部分覆盖所述重掺杂区；在所述重掺杂区表面、隔离层区域外形成引出线结构。所述方法利用了现有CMOS制程，无需额外的离子注入工艺，节约了制造成本。

主权项

一种雪崩击穿二极管结构，其特征在于，包括：衬底中的深阱；深阱中由隔离层定义的有源区；深阱的其中一个有源区中，相邻分布的第一轻掺杂区和第一重掺杂区，所述第一轻掺杂区和第一重掺杂区的掺杂离子类型相同，且与深阱不同，所述第一轻掺杂区的掺杂离子浓度大于深阱，所述第一轻掺杂区底部的深阱的掺杂离子浓度大于第一重掺杂区底部的深阱的掺杂离子浓度；所述有源区表面、覆盖所述第一轻掺杂区、部分覆盖所述第一重掺杂区的隔离层；第一重掺杂区表面、隔离层区域外的引出线结构。