[发明专利]奥氏体渗氮的工艺方法无效
| 申请号： | 200910188055.9 | 申请日： | 2009-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102041512A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 卢志亮 | 申请（专利权）人： | 卢志亮 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;C23C8/26;C23C8/32;C21D1/18;C21D10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110400 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 奥氏体渗氮的工艺方法涉及的是一种热处理方法，特别是一种提高奥氏体渗氮的工艺方法。提供一种含氮马氏体的热处理工艺方法，使其能提高奥氏体渗氮层深度和减少工件变形，使经过热处理工艺处理的工件获得良好的综合使用性能。本发明通过将结合化学热处理工艺方法与奥氏体渗氮技术结合起来进行渗氮处理的方法，先将工件加热至奥氏体状态进行碳氮共渗，获得预定的渗层，然后在同炉内将温度降低到奥氏体渗氮温度620-720℃进行渗氮处理，奥氏体渗氮3小时，控制氮分解率75％以上，使工件表面层奥氏体的氮浓度稳定；然后奥氏体渗氮淬火、时效处理。 | ||
| 搜索关键词： | 奥氏体 工艺 方法 | ||
【主权项】：
奥氏体渗氮的工艺方法，通过将结合化学热处理工艺方法与奥氏体渗氮技术结合起来进行渗氮处理的方法，其特征在于先将工件加热至奥氏体状态进行碳氮共渗，获得预定的渗层，然后在同炉内将温度降低到奥氏体渗氮温度620‑720℃进行渗氮处理，奥氏体渗氮3小时，控制氮分解率75％以上，使工件表面层奥氏体的氮浓度稳定；然后奥氏体渗氮淬火、时效处理。
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