[发明专利]图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200910179135.8 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101714524A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 朴志焕 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8249;H01L21/265 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法将通过光产生的电子的消失减到最少，而不将这些电子传输到转移栅极。该方法包括：在半导体衬底的隔离区中形成沟槽，以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区，在所述光电二极管区的沟槽侧壁处以及在与所述晶体管区相邻的区域中形成第一导电型离子注入区，在所述第一导电型离子注入区与所述沟槽之间以及在所述晶体管区的下部与所述第一导电型离子注入区之间，形成第二导电型离子注入区，用绝缘膜填充所述沟槽来形成隔离层，在所述晶体管区中形成栅电极和间隔件，以及在所述光电二极管区中形成光电二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底的隔离区中形成沟槽，以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；在所述光电二极管区的沟槽侧壁处以及在与所述晶体管区相邻的区域中形成第一导电型离子注入区；在所述第一导电型离子注入区与所述沟槽之间以及在所述晶体管区的下部与所述第一导电型离子注入区之间，形成第二导电型离子注入区；用绝缘膜填充所述沟槽来形成隔离层；在所述晶体管区中形成栅电极和间隔件；以及在所述光电二极管区中形成光电二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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