[发明专利]使用绝缘膜保护半导体芯片的侧壁有效
| 申请号： | 200910176623.3 | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101685794A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 郭彦良;黃永盛;林裕庭;陈建宜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/302;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 梁 永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用绝缘膜保护半导体芯片的侧壁。一种形成集成电路结构的方法，包括：提供晶片，所述晶片具有第一半导体芯片、第二半导体芯片、以及在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间并且与两者邻接的切割槽；在切割槽中形成凹槽，其中，凹槽的底部不高于晶片中半导体衬底的顶面；在晶片之上形成第一绝缘膜，其中，第一绝缘膜延伸至凹槽；将第一绝缘膜的一部分从凹槽的中心移除，其中，第一绝缘膜的剩余部分包括凹槽中的边缘；以及切开晶片，使得第一半导体芯片和第二半导体芯片分离。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 绝缘 保护 半导体 芯片 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：提供晶片，所述晶片包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片；以及切割槽，在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间并且与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片邻接；在所述切割槽中形成凹槽，其中，所述凹槽的底部不高于所述晶片中的半导体衬底的顶面；在所述晶片之上形成第一绝缘膜，其中，所述第一绝缘膜延伸至所述凹槽；将所述第一绝缘膜的一部分从所述凹槽的中心移除，其中，所述第一绝缘膜的剩余部分包括所述凹槽中的边缘；以及切开所述晶片，使得所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
