[发明专利]发光二极管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910169996.8 | 申请日： | 2009-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102024882A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈滨全;张超雄;林昇柏;曾文良 | 申请（专利权）人： | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管装置，包含一引线框架、一发光二极管芯片、一荧光层、一反射件以及一透镜。发光二极管芯片设置于引线框架上。荧光层成形于发光二极管芯片上。反射件成形于引线框架上，并围绕着发光二极管芯片，其中该反射件用于将该发光二极管芯片的光束集中于特定方向上。透镜成形于反射件内，并覆盖住该荧光层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管装置，其特征在于，包含：一引线框架；一发光二极管芯片，设置于该引线框架上；一荧光层，成形于该发光二极管芯片上；一反射件，成形于该引线框架上，并围绕该发光二极管芯片，该反射件用于将该发光二极管芯片的光束集中于特定方向上；以及一透镜，成形于该反射件内，并覆盖该荧光层。
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