[发明专利]抛光半导体晶圆的方法有效
| 申请号： | 200910164120.4 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101670546A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | C·萨皮尔克;T·耶施克;田畑诚;K·勒特格 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王 英 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于抛光具有正面和背面的半导体晶圆的方法。该方法包括通过CMP抛光所述半导体晶圆的背面，所述抛光包括以沿着所述半导体晶圆的直径的轮廓产生材料去除，根据所述轮廓所述背面的中心区域的材料去除高于所述背面的边缘区域的材料去除；以及通过CMP抛光所述半导体晶圆的正面，所述抛光包括以沿着所述半导体晶圆的直径的轮廓产生材料去除，根据所述轮廓所述正面的中心区域的材料去除低于所述正面的边缘区域的材料去除。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于抛光具有正面和背面的半导体晶圆的方法，包括：通过CMP抛光所述半导体晶圆的背面，所述抛光包括以沿着所述半导体晶圆的直径的轮廓产生材料去除，根据所述轮廓所述背面的中心区域的材料去除高于所述背面的边缘区域的材料去除；以及通过CMP抛光所述半导体晶圆的正面，所述抛光包括以沿着所述半导体晶圆的直径的轮廓产生材料去除，根据所述轮廓所述正面的中心区域的材料去除低于所述正面的边缘区域的材料去除。
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