[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910163621.0 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101645463A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;宫入秀和;宫永昭治;秋元健吾;白石康次郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/36;H01L27/02;H01L21/34;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李雪春;武玉琴 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个方式的目的之一在于提供一种在使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜的薄膜晶体管中减少源电极或漏电极的接触电阻的薄膜晶体管及其制造方法。通过在源电极层及漏电极层和IGZO半导体层之间意图性地设置载流子浓度比IGZO半导体层高的缓冲层，形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括薄膜晶体管的半导体装置，该薄膜晶体管包括：栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的源电极层及漏电极层；所述源电极层上的具有n型导电型的第一缓冲层；所述漏电极层上的具有n型导电型的第二缓冲层；以及所述第一及第二缓冲层上的氧化物半导体层，其中，与所述栅电极层重叠的所述氧化物半导体层的一部分在所述栅极绝缘层上并与其接触，且设置在所述源电极层和所述漏电极层之间，并且，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层的载流子浓度高于所述氧化物半导体层的载流子浓度，并且，所述氧化物半导体层和所述源电极层隔着所述第一缓冲层彼此电连接，并且，所述氧化物半导体层和所述漏电极层隔着所述第二缓冲层彼此电连接。
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