[发明专利]一锅法制备二氧化硅杂化量子点的方法有效
| 申请号： | 200910156964.4 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101734616A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 高超;周立 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一锅法制备二氧化硅杂化量子点的方法。本发明是在水相体系中将制备量子点所需的非金属离子源加入到含有巯基稳定剂的量子点金属离子源中，在氮气保护下得到量子点的前体液，然后将二氧化硅源加入到量子点的前体液中反应，得到二氧化硅杂化的量子点。本发明所得到的二氧化硅杂化的量子点具有良好的溶解性，优异的发光性能和光学稳定性，很好的生物相容性与生物稳定性，在生物标记、功能材料方面有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一锅 法制 二氧化硅 量子 方法 | ||
【主权项】：
一种一锅法制备二氧化硅杂化的量子点的方法，其特征在于具体包括以下步骤：步骤(a)：将金属离子源和巯基化合物溶解于去离子水中，金属离子源的浓度为0.01～300毫摩尔每升，巯基巯基化合物与金属离子源的摩尔比为1～6∶1，加入氢氧化物调节溶液pH值为7～10，制得量子点金属离子前体溶液；步骤(b)：往量子点金属离子前体溶液中通氮气并将溶液的温度升到90～100℃，将非金属离子源水溶液注入该金属离子前体溶液中，非金属离子源与金属离子源的摩尔比为0.6～1.3∶1，制得量子点的前体液；步骤(c)：将二氧化硅源注入到量子点的前体液中，二氧化硅源与金属离子源的摩尔比为0.5～800∶1，在85～100℃下反应0.2～108小时，制得二氧化硅杂化的量子点。
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