[发明专利]以轨迹模型实现晶片允收测试先进工艺控制的系统与方法有效
| 申请号： | 200910151805.5 | 申请日： | 2009-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101847569A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 曾衍迪;巫尚霖;王若飞;牟忠一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;G05B19/418 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示实现晶片允收测试(WAT)先进工艺控制(APC)的系统与方法。在一实施方式中，本发明所揭示的方法包括：在处理中的多个晶片批次上执行一金属层间(IM)WAT；使用一批次取样程序自所述多个晶片批次中选出一晶片批次子集合；通过该晶片批次子集合选出一组取样晶片。该组取样晶片经IM WAT后将提供IM WAT数据。上述方法还包括：根据该组取样晶片的IMWAT数据，估算处理中所有晶片批次的所有晶片的末端IM WAT数据，将之提供给一WAT APC程序以控制其中工艺。本发明能够以轨迹模型实现晶片允收测试先进工艺的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 轨迹 模型 实现 晶片 测试 先进 工艺 控制 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种实行晶片允收测试先进工艺控制的方法，包括：在处理中的多个晶片批次上实行一金属层间晶片允收测试；使用一批次取样程序自所述多个晶片批次中选取一晶片批次子集合；通过该晶片批次子集合选取一组取样晶片，该组取样晶片在实行所述金属层间晶片允收测试后提供金属层间晶片允收测试数据；根据该组取样晶片提供的所述金属层间晶片允收测试数据，估算处理中的所述多个晶片批次的所有晶片的末端晶片允收测试数据；以及提供所述估算得到的所述末端晶片允收测试数据供一晶片允收测试先进工艺控制程序控制一微调程序或一先进工艺控制程序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
