[发明专利]光刻构图方法

摘要

本发明提供了一种光刻构图方法，其中包括：通过第一放大过程中的数字转换过程，将第一光刻图案转换为第二光刻图案；通过初始光刻过程进行1：1图形转移，制造对应于所述第二光刻图案的第一光刻版；通过第一缩小过程中的第一光刻过程，在透明基板上制造对应于所述第一光刻版的第二光刻版；通过第二缩小过程，使用所述第二光刻版在晶片基板上制造与所述第一光刻图案的尺寸相同的微观图案；其中，所述第一放大过程的放大比例乘以第一缩小过程的缩小比例再乘以第二缩小过程的缩小比例等于一。该方法通过两步光刻过程制造精细光刻版，简化了光刻版的制造过程，降低了生产纳米量级光刻版的成本，且提高了光刻应用的效率。

主权项

1、一种光刻构图方法，其中包括：通过第一放大过程(410)中的数字转换过程(400)，将第一光刻图案(10)转换为第二光刻图案(20)；所述第一光刻图案(10)及第二光刻图案(20)均为二进制图形数据形式；通过初始光刻过程(600)进行1∶1图形转移，制造对应于所述第二光刻图案(20)的第一光刻版(110)；所述第一光刻版(110)具有第一基准对齐标记(115)；通过第一缩小过程(510)中的第一光刻过程(610)，在透明基板(150)上制造对应于所述第一光刻版(110)的第二光刻版(120)，所述第二光刻版(120)具有对应于所述第一基准对齐标记(115)的第二基准对齐标记(125)；通过第二缩小过程(520)，使用所述第二光刻版(120)在晶片基板(800)上制造与所述第一光刻图案(10)的尺寸相同的微观图案(810)，所述微观图案(810)具有与所述第二基准对齐标记(125)对应的第三基准对齐标记(815)；其中，所述第一放大过程(410)的放大比例乘以第一缩小过程(510)的缩小比例再乘以第二缩小过程(520)的缩小比例等于一。