[发明专利]成膜装置

摘要

本发明涉及半导体处理用成膜装置，该装置具有：处理容器，支持被处理基板的支持部件，加热被处理基板的加热器，排放气体的排气系统，供给成膜用第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体以及与第一、第二处理气体均不同的第三处理气体的第一、第二、第三处理气体供给系统，激发第二处理气体的激发机构，控制成膜装置动作的控制部分，为通过CVD在被处理基板上形成薄膜，所述控制部分交叉实施如下工序：供给第一和第三处理气体，同时停止供给第二处理气体，通过激发机构，使第三处理气体以激发状态供给；停止供给第一、第二、第三处理气体；供给第二处理气体，同时停止供给第一和第三处理气体；停止供给第一、第二、第三处理气体。

主权项

1.一种半导体处理用的成膜装置，其特征在于：具有：具有容纳被处理基板的处理区域的处理容器，在所述处理区域内支持所述被处理基板的支持部件，加热所述处理区域内的所述被处理基板的加热器，排放所述处理区域内气体的排气系统，向所述处理区域供给成膜用第一处理气体的第一处理气体供给系统，向所述处理区域供给与所述第一处理气体反应的第二处理气体的第二处理气体供给系统，有选择地对向所述处理区域供给的所述第二处理气体进行激发的激发机构，控制所述装置动作的控制部分，向所述处理区域供给与第一和第二处理气体的任何一种都不同的第三处理气体的第三处理气体供给系统，所述第三处理气体与所述第二处理气体共有供给口，而且有选择地被所述激发机构所激发，所述第三处理气体含有选自氮气、稀有气体、氧化氮气体中的气体，为了通过CVD在所述被处理基板上形成薄膜，所述控制部分交叉实施如下的工序：在向所述处理区域供给所述第一和第三处理气体的同时，停止向所述处理区域供给所述第二处理气体的第一工序，所述第一工序具有通过激发机构，使所述第三处理气体以激发状态供给所述处理区域的期间；停止向所述处理区域供给所述第一到第三处理气体的第二工序；在向所述处理区域供给所述第二处理气体的同时，停止向所述处理区域供给第一和第三处理气体的第三工序；和停止向所述处理区域供给所述第一到第三处理气体的第四工序。