[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 200910140146.5 | 申请日： | 2009-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101685833A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 黄柏晟;黄宗义;陈富信;黄麒铨;巫宗晔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括：一半导体基底，其为一第一导电形式；一前高压阱(pre-high-voltage well，pre-HVW)区于该半导体基底中，其中该前高压阱区为与该第一导电形式相反的一第二导电形式；一高压阱(high-voltage well，HVW)区于该前高压阱区上，其中该高压阱区为该第二导电形式；一场环(field ring)，其为该第一导电形式，占据该高压阱区的一顶部，其中至少该前高压阱区、该高压阱区与该场环之一包括至少两个通道(tunnel)；一绝缘区于该场环与该高压阱区的一部分上；一漏极区于该高压阱区中且邻接该绝缘区；一栅极电极于该绝缘区的一部分上；以及一源极区相对于该源极区在该栅极的一相对侧上。通过使用本发明的实施例，减低了高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的导通电阻与增高了元件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一半导体基底，其为一第一导电形式；一前高压阱区于该半导体基底中，其中该前高压阱区为与该第一导电形式相反的一第二导电形式；一高压阱区于该前高压阱区上，其中该高压阱区为该第二导电形式；一场环，其为该第一导电形式，占据该高压阱区的一顶部，其中至少该前高压阱区、该高压阱区与该场环之一包括至少两个通道，所述通道为与分别的该前高压阱区、该高压阱区与该场环的导电形式相同，且其中所述通道与分别的该前高压阱区、该高压阱区与该场环之一相较具有一较低的杂质浓度；一绝缘区于该场环与该高压阱区的一部分上；一漏极区于该高压阱区中且邻接该绝缘区；一栅极电极于该绝缘区的一部分上；以及一源极区相对于该源极区在该栅极的一相对侧上。
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