[发明专利]利用受控剪切区域的膜的层转移

摘要

通过提供半导体衬底可形成材料膜，该半导体衬底具有表面区域以及位于表面区域下方预定深度处的裂开区域。在将膜从衬底裂开的过程中，小心地控制裂开区域中的剪切。根据特定实施方式，面内剪切分量(KII)被保持接近零，并夹在拉伸区域与压缩区域之间。在一个实施方式中，利用定位在衬底表面上方的板可以完成裂开。该板用来在裂开期间限制膜的移动，并且与局部热处理一起来降低在裂开工艺过程中产生出的剪切。根据另一实施方式，KII分量有目的地保持在高水平上并用来通过裂开序列来引导和驱动断裂扩展。在一个实施方式中，通过利用暴露于E束辐射的硅绝热加热来实现高的KII分量，这在硅中的精确限定的深度处赋予了非常陡峭的热梯度以及所得的应力。

主权项

1.一种用于裂开材料膜的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有表面和下面的裂开区域；沿垂直于所述表面的方向施加具有预定能量的热源，以在所述裂开区域与所述表面之间形成加热材料体积，所述加热体积呈现出基本均匀的温度分布，接着在所述裂开区域处温度急剧下降；以及在所述裂开区域处使所述膜从所述衬底裂开。