[发明专利]形成双极晶体管的浅基区的方法有效
| 申请号： | 200910129904.3 | 申请日： | 2009-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101552202A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | T·J·克鲁特西克;C·J·斯派尔 | 申请（专利权）人： | 卓联半导体（美国）公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/3105;H01L21/265;H01L29/73;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所公开的主题提供了一种形成双极晶体管的方法，包括形成双极晶体管的浅基区的方法。该方法包括在用第一类型掺杂剂掺杂的材料的第一层上方淀积第一绝缘层。该第一层形成在衬底上方。该方法还包括基于目标掺杂剂分布来更改第一氧化物层的厚度并且在该第一层中注入第一类型的掺杂剂。该掺杂剂以基于所更改的该第一绝缘层厚度和该目标掺杂剂分布而选择的能量被注入。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 双极晶体管 浅基区 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成双极晶体管的方法，包含以下步骤：在用第一类型掺杂剂掺杂的材料的第一层上方形成第一绝缘层，所述第一层形成在衬底上方；基于目标掺杂剂分布来更改所述第一绝缘层的厚度；以及在所述第一层中注入第一类型的掺杂剂，所述掺杂剂以基于所更改的所述第一绝缘层厚度和所述目标掺杂剂分布而选择的能量下被注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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