[发明专利]瞬变电压抑制器和方法有效
| 申请号： | 200910127905.4 | 申请日： | 2009-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101552465A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | E·索斯多-弗罗斯;刘明焦;F·Y·罗伯;A·萨利赫 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 瞬变电压抑制器和用于制造瞬变电压抑制器的方法，该瞬变电压抑制器在接近齐纳区的栅极区的一部分中具有的掺杂物或载流子浓度不同于在远离齐纳区的栅极区的一部分中的掺杂物浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 抑制器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造瞬变电压抑制器的方法，包括：提供半导体基底；由所述半导体基底形成有源区，所述有源区具有齐纳区和远离所述齐纳区的部分；在所述齐纳区中形成第一栅极区并在所述有源区远离所述齐纳区的所述部分中形成第二栅极区；以及将所述第一栅极区的掺杂物浓度调节成不同于所述第二栅极区的掺杂物浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910127905.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
