[发明专利]一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 200910100140.5 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101599530A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李润伟;诸葛飞;何聪丽;刘兆平;周旭峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 | 代理人： | 袁忠卫 |
| 地址： | 315201浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法，该存储单元包括绝缘衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面上设置具有电阻转变特性材料制成的中间层，中间层的表面设置第二电极，其特征在于：所述中间层由氧化石墨烯薄膜形成，中间层的厚度范围为1～200nm。与现有技术相比，本发明的优点在于：中间层不采用氧化物材料，而是采用氧化石墨烯薄膜，这种结构的电阻型随机存储器在直流电压连续扫描激励下表现出优异的高低阻态之间的转变和记忆特性，其高低电阻态间的差值可大于80倍，所有器件的擦写均不需要电形成过程，这些特性表明本发明在非挥发性存储器件领域具有潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 随机 存储器 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电阻型随机存储器的存储单元，包括绝缘衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面上设置具有电阻转变特性材料制成的中间层，中间层的表面设置第二电极，其特征在于：所述中间层由氧化石墨烯薄膜形成。
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