[发明专利]一种镀金ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法无效
| 申请号： | 200910096503.2 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101493433A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王平;宗小林;吴晓玲 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所 | 代理人： | 张慧英 |
| 地址： | 310058浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种镀金ZnO纳米棒阵列电极以及制备该电极的方法，该镀金ZnO纳米棒阵列电极在有ZnO纳米棒的一面镀有金层，通过镀金层改变镀金ZnO纳米棒阵列电极的导电性，使原有ZnO纳米棒阵列电极由不导电向导电转变，使用该镀金ZnO纳米棒阵列电极做测试具有很高的灵敏度。由于金层化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、低电阻，用它包裹在ZnO纳米棒外部就可以很好的起到保护作用，可以大大延长镀金ZnO纳米棒阵列电极的使用寿命，同时保留了一维纳米材料的结构特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镀金 zno 纳米 阵列 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种镀金ZnO纳米棒阵列电极，它至少包括硅基底(1)、二氧化硅介质层(2)、ZnO种子层(3)以及ZnO纳米棒阵列层，所述二氧化硅介质层(2)位于硅基底(1)上，所述ZnO种子层(3)位于二氧化硅介质层(2)上，所述ZnO纳米棒阵列层位于ZnO种子层(3)上，其特征在于：所述ZnO纳米棒阵列层的每个ZnO纳米棒(4)表面和ZnO种子层(3)表面镀有金层(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910096503.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
