[发明专利]PbTe半导体光电导中红外探测器及制备方法无效
| 申请号： | 200910095740.7 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101478007A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;何展;魏晓东;斯剑霄;蔡春锋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/0272 | 分类号： | H01L31/0272;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人： | 盛辉地 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种基于PbTe半导体外延材料的光电导中红外探测器，包括基底、沉积在基底上的半导体光敏电阻薄膜、光敏电阻薄膜表面的保护层、电极，利用分子束外延设备(MBE)在CdZnTe基底上生长无掺杂的PbTe半导体薄膜，使用ZnS作为绝缘层保护光电导主体部分，在PbTe薄膜上利用射频磁控溅射技术镀Ti-Au薄膜做电极，ZnS绝缘保护层在2～10μm中红外波段具有良好的透射率，PbTe光电导中红外探测器对于2～5μm中红外波段的光具有较高的光电导灵敏度和响应度。 | ||
| 搜索关键词： | pbte 半导体 电导 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于PbTe半导体外延材料的光电导中红外探测器，包括基底、沉积在基底上的半导体光敏电阻薄膜、光敏电阻薄膜表面的保护层、电极，其特征是：基底为沉积在CdZnTe半导体上的窄带隙半导体无掺杂的PbTe单晶薄膜，绝缘保护层为ZnS，电极为Ti—Au薄膜，ZnS对2～10μm中红外波段具有良好的透射率，PbTe光电导中红外探测器对于2～5μm中红外波段的光具有较高的光电导灵敏度和响应度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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