[发明专利]一种中频直流复合磁控溅射装置无效
| 申请号： | 200910095439.6 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101538701A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 钱苗根;宋兴文 | 申请（专利权）人： | 湖州金泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 湖州金卫知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 纪 元;赵卫康 |
| 地址： | 313001浙江省湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种中频直流复合磁控溅射装置，包括真空室、抽气系统、供气系统、膜厚测量与控制系统、电气控制柜，所述的真空室中装有直流平面磁控溅射靶，所述直流平面磁控溅射靶的两侧安装有一对中频孪生磁控溅射靶。本发明具有直流平面磁控溅射靶，所述直流平面磁控溅射靶的两侧安装有一对中频孪生磁控溅射靶，其非常适合在基材上镀上多层的化合物膜和单质膜。它的制造成本低，且方便灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中频 直流 复合 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
1、一种中频直流复合磁控溅射装置，包括真空室、抽气系统、供气系统、膜厚测量与控制系统、电气控制柜，其特征在于：所述的真空室中装有直流平面磁控溅射靶，所述直流平面磁控溅射靶的两侧安装有一对中频孪生磁控溅射靶。
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