[发明专利]一种新型抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路无效
| 申请号： | 200910093411.9 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101667576A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘文;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L23/552;H01L21/8234;H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，沟槽填充材料和衬底材料之间存在一水汽氧化制备的二氧化硅材料。所述水汽氧化制备的二氧化硅通过下列方法制备：向含硅界面通入高纯水和氧气的混合气体以氧化所述界面中的硅得到二氧化硅。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 nmos 器件 剂量 辐照 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，所述集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，沟槽填充材料和衬底材料之间存在一水汽氧化制备的二氧化硅材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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