[发明专利]一种氮化硅薄膜的生成装置及方法

摘要

本发明公开了一种氮化硅薄膜的生成装置及方法，其中装置包括：用于通入DCS气体的第一管路、用于通入NH3的第二管路、与第一管路连通的第三管路以及LPCVD反应腔；第一管路和第二管路分别与LPCVD反应腔相连，第三管路用于在停止向LPCVD反应腔中通入DCS气体后，向第一管路中通入能够将第一管路中残留的DCS气体排出至LPCVD反应腔的第一气体。本发明提供的氮化硅薄膜的生成装置及方法，能够在LPCVD反应结束后，及时将第一管路中残留的DCS气体排出，避免了第一管路中残留的DCS气体冷凝进入LPCVD反应腔，形成颗粒附着在晶圆表面的问题，保证了晶圆表面氮化硅薄膜的生成质量。

主权项

一种氮化硅薄膜的生成装置，包括：用于通入二氯二氢硅DCS气体的第一管路、用于通入氨气NH3的第二管路和低压化学气相沉积LPCVD反应腔；所述第一管路外表面包裹有加热带，所述第一管路和第二管路分别与所述LPCVD反应腔相连，其特征在于，还包括：第三管路，所述第三管路与所述第一管路连通，用于在停止向所述LPCVD反应腔中通入DCS气体后，向所述第一管路中通入能够将所述第一管路中残留的DCS气体排出至所述LPCVD反应腔的第一气体。