[发明专利]掩模版及其制备方法有效
| 申请号： | 200910090519.2 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101995762A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 郭建;周伟峰;明星;陈永 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掩模版及其制备方法。该掩模版包括基板，所述基板上形成有第一薄膜图形和部分透光薄膜图形，所述部分透光薄膜图形位于所述第一薄膜图形的上方或下方，且所述部分透光薄膜图形以外的区域为完全透光区域。本发明掩模版可在现有构图掩模版的基础上制得。通过调整曝光设备的实际曝光量，本发明掩模版即可实现原有构图掩模版的构图功能，也可实现现有UV掩模版的挡光和透光功能。采用本发明掩模版制备TFT-LCD过程中，可实现构图工艺和对盒工艺中所需使用掩模版的复用，因而有利于降低TFT-LCD的生成成本。 | ||
| 搜索关键词： | 模版 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掩模版，包括基板，其特征在于，所述基板上形成有第一薄膜图形和部分透光薄膜图形，所述部分透光薄膜图形位于所述第一薄膜图形的上方或下方，且所述部分透光薄膜图形以外的区域为完全透光区域。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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