[发明专利]GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路有效
申请号: | 200910090348.3 | 申请日: | 2009-08-05 |
公开(公告)号: | CN101989837B | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 陈高鹏;吴旦昱;金智;武锦;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F3/45;H03K19/018 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路,包括:输入级子电路、基本跨导子电路、线性化子电路、负阻子电路和镜像电流源子电路,其中:输入级子电路用于对输入的差分电压IN_P和IN_N进行电平移位,并将移位之后的信号导入到基本跨导子电路;基本跨导子电路用于将输入的差分电压信号转换为差分电流信号;线性化子电路用于提高基本跨导电路的线性度;负阻子电路用于提高跨导电路的增益;镜像电流源子电路用于为其余所有电路提供偏置电流。本发明采用GaAs HBT工艺设计制造,具有很宽的工作带宽;采用的线性化子电路可以有效地补偿电路非线性,提供优良的线性度;采用的负阻子电路,有效解决了电路高增益要求与晶体管饱和的矛盾,提供高增益性能。 | ||
搜索关键词: | gaas hbt 增益 宽带 线性 单元 电路 | ||
【主权项】:
1.一种GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路,其特征在于,该电路包括:输入级子电路、基本跨导子电路、线性化子电路、负阻子电路和镜像电流源子电路,其中:输入级子电路用于对输入的差分电压IN_P和IN_N进行电平移位,并将移位之后的信号导入到基本跨导子电路;基本跨导子电路用于将输入的差分电压信号转换为差分电流信号;线性化子电路用于提高基本跨导电路的线性度;负阻子电路用于提高跨导电路的增益;镜像电流源子电路用于为其余所有电路提供偏置电流;所述线性化子电路是一个对称的全差分结构,将基本跨导子电路输入端差分对晶体管的基极-发射极电压VBE之差作为其输入,通过该基本跨导子电路的处理,产生与该电压差成比例的电流信号,并将该电流信号加入到该基本跨导子电路的差分电流输出之上,作为对输入端差分对晶体管的基极-发射极电压VBE之差所导致的电路非线性的补偿,从而提高GaAs HBT跨导电路的线性度;所述负阻子电路是一个对称的全差分结构,设置于该GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路的输出端,将一个等效负阻电阻Rneg与负载电阻RL相并联,总的等效负载为
当负阻Rneg取值使得Rneg+RL=0时,基本跨导子电路的总等效负载电阻为无穷大,其电压增益也将趋于无穷大。
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