[发明专利]环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器无效
| 申请号： | 200910081989.2 | 申请日： | 2009-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101867153A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;刘安金;邢名欣;渠宏伟;周文君;陈微;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/06;H01S5/30;H01S5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，该垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极(1)、n型衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化层(5)、刻有空气孔的上DBR(6)、p型盖层(7)和上环形电极(8)、空气孔区(9)和环形出光孔区(10)构成。其中，该垂直腔面发射激光器的上DBR表面的空气孔区为高损耗区，空气孔包围的环形区域为光输出区；该垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，能实现相干耦合输出，提高激光器的输出功率，改善激光器的光束质量。 | ||
| 搜索关键词： | 环形 光子 晶体 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
一种环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，该垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极(1)、n型衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化层(5)、刻有空气孔的上DBR(6)、p型盖层(7)和上环形电极(8)、空气孔区(9)和环形出光孔区(10)构成。
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