[发明专利]一种用于薄膜太阳电池的陷光结构有效

专利信息
申请号: 200910081459.8 申请日: 2009-04-03
公开(公告)号: CN101521236A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: 赵雷;王文静 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人: 关 玲;贾玉忠
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种用于薄膜太阳电池的陷光结构,其基本特征在于这种陷光结构处在太阳电池光吸收区的背光面,从太阳电池光吸收区一侧开始依次包括衍射光栅1,分布布拉格反射器(DBR)2和金属反射器3。衍射光栅1提高光的衍射效率,DBR2和金属反射器3共同提高光的反射率。金属反射器3的存在一方面极大的提高了所述结构的陷光效率,一方面可以减少DBR的对数,使这种陷光结构更容易制作。在DBR2和金属反射器3之间可以进一步含有介质缓冲层4。
搜索关键词: 一种 用于 薄膜 太阳电池 结构
【主权项】:
1、一种用于薄膜太阳电池的陷光结构,其特征在于所述陷光结构由衍射光栅(1)、分布布拉格反射器(2)和金属反射器(3)组成;衍射光栅(1)上为分布布拉格反射器(2),分布布拉格反射器(2)上为金属反射器(3);所述陷光结构位于太阳电池光吸收区的背光面,即从太阳电池光吸收区一侧开始依次为衍射光栅(1),分布布拉格反射器(2)和金属反射器(3)。
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