[发明专利]具有D-π-A结构的二阶非线性光学发色团及其合成方法和用途有效
| 申请号： | 200910080593.6 | 申请日： | 2009-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101845039A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘新厚;侯文军;冯姝雯;刘家磊;邱玲;甄珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C07D409/06 | 分类号： | C07D409/06;C07F7/18;C08J5/18;C08L69/00;C08K5/45;C08K5/548;G02F1/361 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及有机二阶非线性光学材料领域，特别涉及一类高性能的氨基苯类电子给体、噻吩类π电子桥和三氰基吡咯啉类电子受体的具有D-π-A结构的二阶非线性光学发色团及其合成方法和用途。在本发明的合成方法中合成出的噻吩类π电子桥，能够有效提高电子的共轭传输能力，降低分子间的相互作用力，提高发色团分子的一阶分子超极化率(β)。本发明的具有以下结构的高性能的具有D-π-A结构的二阶非线性光学发色团作为二阶非线性光学材料在信号调制领域具有重要的应用前景。 |
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| 搜索关键词： | 具有 结构 非线性 光学 发色团 及其 合成 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种具有D-π-A结构的二阶非线性光学发色团，其特征是，该具有D-π-A结构的二阶非线性光学发色团具体以下结构：![]()
所述的D-π-A结构中的D是4-(N-R1，N-R2)氨基苯类电子给体，π是3，4-二R3氧基噻吩类共轭电子桥，A是三氰基吡咯啉类电子受体；其中，R1、R2分别或同时为烷基、羟烷基或硅烷保护的羟烷基中的一种；R3为烷基。
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