[发明专利]一种制备高纯钴的方法无效
| 申请号： | 200910080470.2 | 申请日： | 2009-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101538721A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 李永军;武浚;杨艳;卢越刚;马永峰;李静;邱平;王克震 | 申请（专利权）人： | 金川集团有限公司 |
| 主分类号： | C25C1/08 | 分类号： | C25C1/08 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 737103*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 一种制备高纯钴的方法，涉及一种采用盐酸溶液体系电积制备高纯钴的方法。其特征在于其工艺过程依次为：采用盐酸体系以99.95％电积钴为阳极，电溶制备pH为3～3.5的CoCl2溶液，合格的电溶溶液依次通入阴离子交换树脂进行离子交换深度净化，最后通入电解槽进行电积，且通入的离子交换净化后的溶液量与抽出的电积后液等量，电积得到高纯电积钴。高纯电积钴再经电子束熔炼制备高纯钴钴锭可以满足不同用户的需求。本发明方法制备的高纯钴样品经过辉光放电质谱法-GDMS分析，达到5N及5N以上高纯电积钴及高纯钴钴锭。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高纯 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备高纯钴的方法，其特征在于其工艺过程依次为：采用盐酸体系以99.95％电积钴为阳极，电溶制备pH为3～3.5的CoCl2溶液；再将电溶制备的溶液通入阴离子交换树脂进行离子交换深度净化，再通入电解槽进行电积，电积得到高纯电积钴；最后通过电子束熔炼制备高纯钴钴锭。
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