[发明专利]一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法有效
| 申请号： | 200910076424.5 | 申请日： | 2009-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101459061A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 郭磊;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张国良 |
| 地址： | 100084北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法，所述方法包括以下步骤：准备硅衬底；利用低温减压外延在所述硅衬底上制备高锗含量、低表面粗糙度的未完全弛豫的薄锗硅层；用LPCVD或PECVD低温淀积一层二氧化硅覆盖在所述薄锗硅层上；进行高温快速热退火，使所述薄锗硅层完全弛豫；去掉氧化层，得到薄的表面粗糙度低的高质量高锗含量的弛豫锗硅材料层。本发明在半导体硅衬底上通过综合采用低温减压外延，低温淀积氧化层，快速热退火等工艺方法制备出一层高质量高锗含量表面粗糙度低的弛豫薄锗硅(SiGe)虚拟衬底，应用于未来CMOS工艺中各种沟道应变工程和高迁移率沟道材料制备上，进一步提高CMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 弛豫薄 sige 虚拟 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：准备硅衬底；利用低温减压外延在所述硅衬底上制备高锗含量、低表面粗糙度的未完全弛豫的薄锗硅层；用LPCVD或PECVD低温淀积一层二氧化硅覆盖在所述薄锗硅层上；进行高温快速热退火，使所述薄锗硅层完全弛豫；去掉氧化层，得到薄的表面粗糙度低的高质量高锗含量的弛豫锗硅材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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