[发明专利]低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法

摘要

低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，它涉及一种制备铅基铁电薄膜的方法。它解决了现有方法在铁电薄膜制备过程中晶化温度过高、织构难以控制、成本高且不利于大面积Si集成电路的应用的问题。方法：一、制备种子层薄膜A；二、在薄膜A上继续沉积钛酸铅系铁电薄膜，然后进行退火结晶处理，通过改变种子层薄膜A的厚度，得织构可控的铅基铁电薄膜。本方法在较低的晶化温度制备完成的，所得薄膜具有优异的铁电性能的同时，保持强织构、薄膜表面光滑、致密的优点，本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。

主权项

1、低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，其特征在于制备织构可控的铅基铁电薄膜按以下步骤实现：一、在基底上沉积一层厚度为5～20nm的钛酸镧钙铅系铁电薄膜，然后在温度为400～450℃条件下进行退火结晶处理，得种子层薄膜A；二、在种子层薄膜A上继续沉积一层厚度为200～300nm的钛酸铅系铁电薄膜，然后在温度为450～700℃条件下进行退火结晶处理，得织构可控的铅基铁电薄膜；其中步骤一中钛酸镧钙铅系铁电薄膜的分子式为(Pb1-x-yLaxCay)Ti1-x/4O3，其中0≤X≤0.24，0≤Y≤0.24；步骤二中钛酸铅系铁电薄膜为钛酸铅铁电薄膜、锆钛酸铅铁电薄膜或铌-锆钛酸铅铁电薄膜。