[发明专利]TiNi合金支架注磷后慢中子辐照活化的方法无效
| 申请号： | 200910071350.6 | 申请日： | 2009-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101496907A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 高智勇;赵兴科;隋解和;蔡伟;吴冶 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | A61L27/12 | 分类号： | A61L27/12;A61F2/82;A61L27/06 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 单 军 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | TiNi合金支架注磷后慢中子辐照活化的方法，它涉及一种TiNi合金支架注磷的方法。本发明方法解决了现有技术中TiNi合金支架注磷后射线穿透性弱的问题。本发明的方法如下：一、化学抛光；二、注磷；三、慢中子辐照活化，即得注磷的TiNi合金支架。本发明方法制备的注磷的TiNi合金支架射线穿透性强。本发明方法简单，操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | tini 合金 支架 注磷后慢 中子 辐照 活化 方法 | ||
【主权项】：
1、TiNi合金支架注磷后慢中子辐照活化的方法，其特征在于TiNi合金支架注磷后慢中子辐照活化的方法按以下步骤实现：一、化学抛光：将TiNi合金支架放入温度为40～60℃的HF/HNO3/H2O体系中浸泡5～15s，再放入丙酮中超声波清洗20～60min，然后吹干；二、注磷：采用红磷为离子源，将离子源加热蒸发汽化，脉冲高压使之离子化，然后在注入电压为30～90KV，注入量为4×1017P/cm2、脉冲电流为20～30A，频率为100～200Hz，脉冲宽度为40～60μs，一栅为0.3～1kV，二栅为0.5～1.5kV的条件下注磷；三、慢中子辐照活化：在慢中子通量为5.88×1017n/m2s、慢中子辐照剂量为1.69×1022n/m2的条件下辐照6～12h，即得注磷的TiNi合金支架；其中步骤一HF/HNO3/H2O体系由HF、HNO3和H2O按重量份数1:2:10混合。
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