[发明专利]一种标准CMOS全差分光检测器及其制作方法无效
| 申请号： | 200910068003.8 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101488510A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 毛陆虹;余长亮 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 江镇华 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于光通信系统及光互连领域，涉及一种标准CMOS全差分光检测器，其作用是将由同一根光纤输入的光信号转换成一对全差分电流信号，并为后续的差分接收电路提供一对对称且一致的输入负载，包括：一个插指状P+/深N阱/高压P阱型光电探测器和一个插指状N+/高压P阱/深N阱型光电探测器，所述的插指状P+/深N阱/高压P阱型光电探测器和插指状N+/高压P阱/深N阱型光电探测器的形状相同且对称、尺寸相同、相互紧靠，并各占据总受光区域的一半，构成一个近似方形的受光区域。本发明的光检测器，能够克服现行差分光接收机的输入负载不对称的缺点，大大提高现行差分光接收机的带宽和灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标准 cmos 分光 检测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种标准CMOS全差分光检测器，其作用是将由同一根光纤输入的光信号转换成一对全差分电流信号，并为后续的差分接收电路提供一对对称且一致的输入负载，包括：一个插指状P+/深N阱/高压P阱型光电探测器和一个插指状N+/高压P阱/深N阱型光电探测器，所述的插指状P+/深N阱/高压P阱型光电探测器和插指状N+/高压P阱/深N阱型光电探测器的形状相同且对称、尺寸相同、相互紧靠，并各占据总受光区域的一半，构成一个近似方形的受光区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
