[发明专利]大孔径衬底出光垂直腔面发射半导体激光器无效
申请号: | 200910066765.4 | 申请日: | 2009-04-07 |
公开(公告)号: | CN101510667A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 张岩;宁永强;秦莉;刘云;王立军;李特 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/02 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人: | 南小平 |
地址: | 130033吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明公开了一种大孔径衬底出光垂直腔面发射半导体激光器,包括接触层、上反射镜、激活区、下反射镜、衬底,上反射镜位于接触层下面,激活区位于上反射镜与下反射镜之间,下反射镜位于衬底上面,其特征在于,该激光器还包括小孔径电极(1)、大孔径出光窗口(2)、绝缘薄膜(3)和衬底电极(4),小孔径电极(1)位于激光器外延片的外延面上,绝缘薄膜(3)围绕小孔径电极(1)并与之相连,大孔径出光窗口(2)位于衬底下部中心处,衬底电极(4)围绕大孔径出光窗口(2)并与之相连。本发明的有益效果是:器件制作过程简单,在实现增大垂直腔面发射半导体激光器出光孔径的同时,保证了注入电流强度的均匀分布。 | ||
搜索关键词: | 孔径 衬底 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】:
1、大孔径衬底出光垂直腔面发射半导体激光器,包括接触层、上反射镜、激活区、下反射镜、衬底,上反射镜位于接触层下面,激活区位于上反射镜与下反射镜之间,下反射镜位于衬底上面,其特征在于,该激光器还包括小孔径电极(1)、大孔径出光窗口(2)、绝缘薄膜(3)和衬底电极(4),小孔径电极(1)位于激光器外延片的外延面上,绝缘薄膜(3)围绕小孔径电极(1)并与之相连,大孔径出光窗口(2)位于衬底下部中心处,衬底电极(4)围绕大孔径出光窗口(2)并与之相连。
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