[发明专利]栅结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910057613.8 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101958342A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安;王飞;杨欣;韩峰;刘远良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅结构，包括：在沟槽中形成的栅氧；在栅氧之上成长的第一层掺磷浓度低或不掺杂的多晶硅或无定型硅，所述第一层掺磷浓度低或不掺杂的多晶硅或无定型硅的掺磷浓度为0～4E19atm/cm3；在所述第一层掺磷浓度低或不掺杂的多晶硅或无定型硅之上成长的第二层掺磷浓度高的多晶硅，所述第二层掺磷浓度高的多晶硅的掺磷浓度为1.0E20～10E20atm/cm3。本发明还公开了该栅结构的制造方法。本发明能改善栅氧的漏电特性，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅结构，其特征在于，包括：在沟槽中形成的栅氧；在栅氧之上的第一层掺磷浓度低或不掺杂的多晶硅，所述第一层掺磷浓度低或不掺杂的多晶硅的掺磷浓度为0～4E19atm/cm3；在所述第一层掺磷浓度低或不掺杂的多晶硅之上的第二层掺磷浓度高的多晶硅，所述第二层掺磷浓度高的多晶硅的掺磷浓度为1.0E20～10E20atm/cm3。
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