[发明专利]物理气相沉积线圈的处理方法及物理气相沉积线圈结构有效
| 申请号： | 200910054945.0 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101956156A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/56;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种物理气相沉积线圈的处理方法及物理气相沉积线圈结构，其中物理气相沉积线圈的处理方法包括：提供物理气相沉积线圈；对所述物理气相沉积线圈进行清洗；在所述物理气相沉积线圈内表面形成与所述物理气相沉积线圈材料一致的薄膜。本发明提高物理气相沉积系统的均一性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 线圈 处理 方法 及物 理气 结构 | ||
【主权项】：
一种物理气相沉积线圈的处理方法，其特征在于，包括：提供物理气相沉积线圈；对所述物理气相沉积线圈进行清洗；在所述物理气相沉积线圈内表面形成与所述物理气相沉积线圈材料一致的薄膜。
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